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2"Free-standing GaN Substrate for mass production
 
 

     苏州纳维的2英寸氮化镓衬底(2-inch Free-standing GaN Substrate)开始正式量产。经过四年的刻苦攻关,苏州纳维团队完成了设备研发、材料生长技术、衬底抛光、成品率提升等多项难题,形成核心专利30余项,日前2英寸氮化镓衬底完成开发,并于10月1日量产。已经获得世界各地多项订单。
    目前提供的2英寸自支撑氮化镓衬底厚度280 ± 10 µm,位错密度低于5x106cm-2,n型或半绝缘,供货周期为九周。预计2012年至2013年将陆续推出4英寸、6英寸氮化镓衬底。

 
 
 
       
 
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