优质氮化镓衬底有利于提升肖特基势垒二极 2017-03-12
苏州纳维科技有限公司产品质量位居世界前 2016-11-14
氮化镓基异质结有望在子带间(ISB)器 2016-08-20
氮化镓基压电二极管研究取得重要进展 2015-12-28
Compound Semiconduc 2014-12-02
GaN衬底将主导氮化物半导体产业的新一 2014-10-08
  产品展示
 
氮化镓厚膜晶片—2英寸&4英寸
氮化镓厚膜晶片—2英寸&4英寸
2英寸氮化镓自支撑晶片
2英寸氮化镓自支撑晶片
非极性半极性氮化镓自支撑衬底
非极性半极性氮化镓自支撑衬底
氮化铝厚膜晶片
氮化铝厚膜晶片
 
  行业资讯
  客户反馈
转自SEMI: 氮化镓为新时代开启一线曙 2015-03-19
诺奖得主中村修二:照明领域激光器终将取代 2014-12-15
用GaN基板LED提高车前灯设计自由度, 2014-11-24
三名日本科学家获2014诺贝尔物理学奖 2014-10-08
Nanowin Upgrades Its 2014-09-11
Azzurro Semiconducto 2014-05-26
Soraa GaN On GaN LED 2013-02-26
关于贵公司的网络宣传
 
苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月,公司以中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托,专注于从事氮化镓衬底晶片及相关设备的研发和产业化,提供各类氮化镓材料,目前公司拥有核心技术专利近三十项,是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。目前公司针对企业...
 
 
·半导体照明
·蓝绿光激光器
·高功率电子电力器件
 
 
· 转自SEMI: 氮化镓为新时代开
· 诺奖得主中村修二:照明领域激光器
· 用GaN基板LED提高车前灯设计
· 三名日本科学家获2014诺贝尔物
· Nanowin Upgrades
· Azzurro Semicond
· Soraa GaN On GaN
 
 
 
版权所有:苏州纳维科技有限公司
联系地址:江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号B714 邮编:215125 苏ICP备10005746号 E-mail:webmaster@nanowin.com.cn