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2014

2014

  • 分类:发展历史
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-09-26
  • 访问量:0

【概要描述】Ø 2 inch量产中试,位错密度10⁵cm⁻²。

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【概要描述】Ø 2 inch量产中试,位错密度10⁵cm⁻²。

  • 分类:发展历史
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开展了4英寸GaN单晶衬底的研发;获得国家科技部863项目“大尺寸GaN单晶衬底制备及同质外延”项目的支持

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