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2018

2018

  • 分类:发展历史
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-09-26
  • 访问量:0

【概要描述】Ø 4 inch量产技术,Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

2018

【概要描述】Ø 4 inch量产技术,Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

  • 分类:发展历史
  • 作者:
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  • 发布时间:2022-09-26
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2英寸GaN单晶衬底的位错密度获得国际认可;完成了4英寸GaN单晶衬底;开展了6英寸GaN单晶衬底的研发

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