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4英寸自支撑氮化镓晶片
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【概要描述】Ø 4 inch量产技术,Ø 6inch关键技术。研发水平位错密度10³cm⁻²。
2英寸GaN单晶衬底的位错密度获得国际认可;完成了4英寸GaN单晶衬底;开展了6英寸GaN单晶衬底的研发
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