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千人计划专家徐科:研发材料打破国际垄断

苏州纳维科技有限公司

核心提示:2007年,徐科创立苏州纳维科技有限公司,带领团队研发出了具有国际领先水平的氮化镓材料,一举改变了过去我国相关领域完全受制于人的局面,打破了国外发达国家的技术封锁。

  ——苏州工业园区获批开展开放创新综合试验

千人计划专家徐科:园区人才政策让我扎根于此

徐科向技术人员介绍设备运转情况
工作间隙,徐科在办公室写毛笔字减压,这是他养成多年的习惯。

千人计划专家徐科:园区人才政策让我扎根于此

名城新闻网讯(记者 熊曙光)十年前,他放弃北京大学的教职,来到正在筹建的中科院苏州纳米所。十年后,他将多年研究的成果转化为300多家单位抢购的产品。他就是工业园区首届科技领军人才、江苏省高层次创业创新人才、国家千人计划专家徐科博士。
  2006年,徐科接到中科院苏州纳米所所长杨辉邀请,几次电话了解后,他毅然放弃了北京大学的教职,加盟苏州纳米所,决定将“HVPE系统及氮化镓衬底外延生长”作为创业方向,并瞄准了未来的产业化方向。
  据了解,氮化镓是第三代半导体产业发展的关键材料,也是徐科研究多年的领域。2007年,徐科创立苏州纳维科技有限公司,带领团队研发出了具有国际领先水平的氮化镓材料,一举改变了过去我国相关领域完全受制于人的局面,打破了国外发达国家的技术封锁。2015年,他们研发的产品吸引了全球300多家客户,其产品质量、研发水平得到了高度认可。
  谈到从零开始的创业历程,徐科对工业园区开放创新的政策支持赞不绝口。在入选领军人才项目后,园区为公司提供了100万元的创业启动资金、100万元的住房补贴、200万元的贴息贷款、650万元的股权投资等,这些政策支持给刚刚成立的纳维科技极大的信心与动力。此外,政府每月3000元的住房补贴,也让公司收获了许多高级技术人才。“这极大减轻了创业初期的科研企业的资金压力,真是一场及时雨。”徐科说。
  作为国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一,徐科带领团队研制出我国第一片位错密度104cm-2量级的2英寸GaN单晶衬底并实现量产,目前仍是国内唯一一家具备2英寸GaN单晶晶片生产能力的企业。最近,他们又完成了4英寸GaN单晶衬底的研发,在国际上出于领先水平。
  业内人士预计,以氮化镓为代表的III族氮化物半导体被誉为第三代半导体,在国防、信息、机电、能源等产业正在或将会得到重大应用,未来几年市场规模将达数万亿美元。为了应对这一即将到来的市场机会,纳维科技正打算扩大生产能力。得益于园区领军人才政策,纳维科技有优先在园区拿地的权利,而现在公司也正准备买地建厂,以迎接即将井喷的市场机遇。
  展望未来,徐科认为企业不一定要有多大的市场规模,但是一定要有自己核心的高科技。而这技术不是只有他一家所有,而是能影响很大的产业,真正辐射出去,形成高科技产业群。目前,以纳维科技为首的7家企业,汇聚了国内外顶尖的科研人员与企业,联合成立了氮化镓产业研究院。“我们在园区孵化,以后发展壮大了,还将扎根于园区。”徐科说。
(时间:2015年10月20日 来源:名城新闻网 责编:李刻)

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