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公司简介

苏州纳维科技有限公司致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,经过10年努力,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国内唯一一家、国际上少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位;氮化镓产品性能综合指标国际领先,未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

苏州纳维科技有限公司成立于2007年,专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到2020年将形成万亿美元以上的市场规模。

苏州纳维创办以来,在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下,经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发,2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到104cm2,达到世界领先水平,期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持;近两年完成了4英寸和6英寸GaN单晶衬底的关键技术研发。目前GaN单晶衬底产品已经提供给300余家客户使用,基本完成了对研发市场的占领,正在提升产能向企业应用市场发展,重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。申报相关核心专利40余项,在各类重要国际学术会议和产业论坛上做邀请报告20余次,苏州纳维受到产业界和国际同行的广泛关注。

应对迅速增长的市场需求,苏州纳维2016年获得中国高新投资等3500万元投资,正在扩大生产规模,未来3年将进一步借力资本市场,打造核心团队,在全球市场份额和研发水平上全面进入前三强,成长为一家团队具有持续创新能力、产品具有国际领先水平、占据一定国际市场份额、引领产业发展潮流的高科技企业。

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发展历史

苏州纳维科技有限公司

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    竞争形势 MORE
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    获得国际承认 MORE
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    国民经济的支柱 MORE
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    发展道路图 MORE
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    获得国际承认 MORE
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    质量先于国家 MORE

管理团队

苏州纳维科技有限公司

徐科

苏州纳维科技有限公司董事长

徐科,男,1970年3月出生,中科院上海光学精密机械研究所获得博士,中国国籍,现任苏州纳维科技有限公司董事长。2012年入选国家“千人计划”,2008年入选省“高层次创新创业人才引进计划”,2007年入选姑苏领军人才计划。徐科博士自1996年以来一直从事氮化物外延用衬底材料的晶体生长,曾在非极性GaN的MOCVD生长方面做出开创工作;阐明了极性对InN生长的特殊影响,是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一。2004年归国,在苏州工业园区创办苏州纳维科技有限公司,研发出2inch GaN单晶衬底系列产品,GaN单晶衬底的研制成功和产业化对我国第三代半导体产业跨越发展以及国防领域的核心器件研制具有重要的战略意义。曾主持参加国家重点研究计划、国家自然科学基金重点项目、江苏省科技成果重大专项项目、苏州市姑苏人才、苏州工业园区领军人才项目等20余项,在项目执行期间,入选科技部中青年领军科技人才;关于氮化镓单晶衬底的研究成果入选基金委信息学部十二五优秀成果汇编;入选科技部重大研发计划战略性新型电子材料专家组成员并任第三代半导体材料专家组副组长;入选国家重大新材料与应用工程专家组并参与编写第三代半导体材料到2030年的发展规划等。

王建峰

苏州纳维科技有限公司总经理

1979年10月生,于2001年、2006年先后获得武汉大学学士和博士学位(与中科院半导体所联合培养),此后一直从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发。王建峰博士针对GaN生长装备,创新的引入了在位光学监控系统,实现了生长速度和应力的实时监控,极大的推进了GaN材料研发;近5年以来,深入研究了GaN的HVPE生长机理和缺陷演化机制,采用周期掩膜、GaN纳米柱阵列等中间层方法,获得了无裂纹、高质量GaN材料,性能达到目前同类方法公开报道的最好值(位错密度<105cm2,室温电子迁移率1100cm²/V·s);利用掺杂技术,实现了2英寸非掺、N型掺杂和半绝缘补偿掺杂GaN单晶衬底的研制。近3年以来,初步实现了4英寸GaN单晶衬底的制备。作为项目负责人和核心人员参加科技部863项目、国际合作项目、自然科学基金项目、中科院 STS 项目等10余项,申报相关核心专利20余项,在ICNS、APWS等重要国际会议上做特邀报告5次。项目申请人曾荣获中国产学研促进性创新成果奖,中国科学院卢嘉锡青年人才奖,苏州市劳动模范奖励。

企业文化

—— 企业与个人共同成长 ——

公司愿景

团队具有持续创新能力,产品具有国际领先水平,并能够占据一定国际市场份额,引领产业发展潮流的高新科技企业

公司荣誉

苏州纳维科技有限公司

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