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2英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）
规格：GaN-FS-C-SI-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：> 1 x 10⁶ Ω*cm
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10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（铁掺）
规格：GaN-FS-C-SI-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：> 10⁶ Ω·cm
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规格：GaN-T-C-P-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10 Ω·cm
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