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4英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)
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4英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

规格:GaN-T-C-N-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.2 mm 厚度:4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k):< 0.05 Ω·cm
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    4英寸氮化镓厚膜晶片(非掺)

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    2022-10-18 09:00:00

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