产品中心
Products Center
您现在的位置:
首页
/
/
/
/
6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)
浏览量:
1000

6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

规格:GaN-T-C-N-C150 尺寸:Ф 150 ± 0.2 mm 厚度:4.5 ± 0.5 μm / < 4% 电阻率(300k):< 0.05 Ω·cm
零售价
0.0
市场价
0.0
浏览量:
1000
产品编号
数量
-
+
库存:
0
产品描述
参数
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
上一个
下一个
  • 6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

    6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

    文件大小:

    135KB

    时间:

    2022-10-18 08:55:58

文件大小:
135KB
2022-10-18 08:55:58
上一页
1

相关产品

联系我们

地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室

客服:

任小姐:17712482910

邮     箱:renjing@nanowin.com.cn
销售总监:
戴冬云:
15962257010
邮     箱:daidongyun@nanowin.com.cn 

 

在线留言

留言应用名称:
客户留言
描述:
验证码

Copyright ©  2022 苏州纳维科技有限公司   苏ICP备11034975号-1
 

在线留言

纳维科技