About Us
苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到10⁴cm²，达到世界先进水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持；近两年完成了4英寸和6英寸GaN单晶衬底的关键技术研发。目前GaN单晶衬底产品已经提供给500余家客户使用，基本完成了对研发市场的占领，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。申报相关核心专利近百余项，在各类重要国际学术会议和产业论坛上做邀请报告百余次，苏州纳维受到产业界和国际同行的广泛关注。
1979年10月生，于2001年、2006年先后获得武汉大学学士和博士学位（与中科院半导体所联合培养），此后一直从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发。王建峰博士针对GaN生长装备，创新的引入了在位光学监控系统，实现了生长速度和应力的实时监控，极大的推进了GaN材料研发；近5年以来，深入研究了GaN的HVPE生长机理和缺陷演化机制，采用周期掩膜、GaN纳米柱阵列等中间层方法，获得了无裂纹、高质量GaN材料，性能达到目前同类方法公开报道的最好值(位错密度<10⁵cm²，室温电子迁移率1100cm²/V·s)；利用掺杂技术，实现了2英寸非掺、N型掺杂和半绝缘补偿掺杂GaN单晶衬底的研制。近3年以来，初步实现了4英寸GaN单晶衬底的制备。作为项目负责人和核心人员参加科技部863项目、国际合作项目、自然科学基金项目、中科院 STS 项目等10余项，申报相关核心专利20余项，在ICNS、APWS等重要国际会议上做特邀报告5次。项目申请人曾荣获中国产学研促进性创新成果奖，中国科学院卢嘉锡青年人才奖，苏州市劳动模范奖励。
