大功率器件专用氮化镓单晶衬底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

产品中心

Products Center

2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)

更多

2英寸自支撑氮化镓晶片(硅掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(硅掺)

更多

4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

更多

2英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

更多

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

更多

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

更多

专业的高质量氮化镓衬底供应商

专业的高质量氮化镓衬底供应商


苏州纳维科技有限公司致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,经过15年努力,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位;氮化镓产品性能综合指标国际领先,未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

苏州纳维科技有限公司成立于2007年,专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到未来将形成万亿美元以上的市场规模。

2007

公司成立

500 +

服务客户

60 +

核心专利

50 +

邀请报告

10 亿+

总投资

产品应用

Applications ——

氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到未来将形成万亿美元以上的市场规模...

射频电子领域

射频电子领域

详细

电力电子领域

电力电子领域

详细

新型显示领域

新型显示领域

详细

新闻资讯

News Center

创新标杆十人谈丨对话纳维科技徐科:从实验室到全球市场,我们与苏州纳米新材料产业共舞

创新标杆十人谈丨对话纳维科技徐科:从实验室到全球市场,我们与苏州纳米新材料产业共舞


纳维科技的GaN单晶衬底产品已累计服务500余家客户,在蓝绿光半导体激光器领域取得了产品领先地位,并正在射频电子、电力电子、新型显示三大领域持续加大布局。
苏州纳维总部大楼建设正式启动

苏州纳维总部大楼建设正式启动


2021年1月24日上午,苏州纳维科技有限公司总部大楼建设项目在苏州工业园区正式奠基。园区党工委副书记、管委会主任丁立新,中科院苏州纳米所书记、副所长(主持工作)邓强,苏州市科技局原党组书记吴伟澎,园区党工委委员、管委会副主任倪乾,独墅湖科教创新区党工委书记许文清
典型GaN射频器件的工艺流程

典型GaN射频器件的工艺流程


典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节:外延生长-器件隔离-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。