产品中心

Products Center

4英寸氮化镓厚膜晶片(非掺)

规格:GaN-T-C-U-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.2 mm 厚度:4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k):> 0.5 Ω·cm

2022-07-06

产品描述

4英寸氮化镓厚膜晶片(非掺)

文件大小:139.7KB 时间:2022-07-06
下载

相关产品

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(硅掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(硅掺)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(铁掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(铁掺)

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(非掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(非掺)

6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

6英寸氮化镓厚膜晶片(硅掺)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane(UID/N/SI)

6英寸氮化镓厚膜晶片(非掺)

6英寸氮化镓厚膜晶片(非掺)

2英寸氮化镓厚膜晶片(镁掺)

2英寸氮化镓厚膜晶片(镁掺)

2英寸氮化铝厚膜晶片

2英寸氮化铝厚膜晶片