产品中心

Products Center

4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

规格:GaN-FS-C-SI-C100 尺寸:Ф 100 ±1 mm 厚度:420 ±50μm 电阻率(300k):>1×10⁹Ω*cm

2022-07-06

产品描述

4寸FS-SIGaN规格书

文件大小:170.3KB 时间:2022-07-06
下载

相关产品

2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(硅掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(硅掺)

4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

2英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane(UID/N/SI)

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(硅掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(硅掺)

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(铁掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(铁掺)

10*10.5mm<sup>2</sup>自支撑氮化镓晶片(非掺)

10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片(非掺)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane(UID/N/SI)

5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane(UID/N/SI)